技術(shù)參數(shù)主要技術(shù)參數(shù)：離子能量：100-2000eV，連續(xù)可調(diào)離子電流密度：最大10mA/cm2離子束流：7-90uA，連續(xù)可調(diào)離子束直徑：750-1200um(FWHM) 減薄速率：2000eV離子能量及30度離子束入射角時，c-Si上的減薄速率為28um/h樣品臺 減薄角度：0-45 ，電子調(diào)節(jié)步長為0.1 計算機控制樣品平面旋轉(zhuǎn)搖擺（0-120 角度范圍，電子調(diào)節(jié)步長為10 ） 出眾的厚度范圍：涵蓋TEM樣品厚度（30-200um）主要特點主要特點優(yōu)點： GentleMill溫和型低能離子減薄儀（型號IV5/IV8）為最先進的制備高質(zhì)量TEM/FIB樣品的離子減薄工作站 ● 最先進的低能離子源：GentleMill離子束工作站所用的熱陰極低能離子源，具有令人矚目的專利技術(shù)。極其低能量的離子束確保使表面損壞及離子束誘導(dǎo)的無定形物減至最小限度。獨特的離子源結(jié)構(gòu)允許高離子束電流密度。所有離子槍參數(shù)包括加速電壓及陰極電流由數(shù)字反饋回路全自動控制，但它們在樣品制備過程中也可手動進行改變。離子源參數(shù)的初始值既可自動也可手動設(shè)置，并可在電腦顯示屏中連續(xù)顯示。● 無合成產(chǎn)物的樣品制備：GentleMill在低能量離子轟擊時對樣品無損壞的獨特能力，在應(yīng)用科學(xué)及材料研究領(lǐng)域中，給用戶提供了研究合成材料及自然材料中真實納米結(jié)構(gòu)的唯一工具。●對TEM/FIB樣品進行清潔及后處理的快速、可靠的方法●獨立用戶模式，帶有預(yù)編程設(shè)置的自動操作：第三代GentleMill3（型號IV8）為全計算機控制，通過易使用的圖形界面操作。所有減薄參數(shù)包括離子源的設(shè)置、氣流量控制、其它減薄參數(shù)如樣品移動及傾斜角度的設(shè)置、穿孔檢測等可以被貯存，或以任意步數(shù)進行預(yù)編程。這種全自動特點減少了人為干預(yù)，可制備高質(zhì)量的樣品。自動終止功能為圖像分析模塊支持的減薄過程的光學(xué)終止（探測樣品穿孔或監(jiān)視樣品表面形貌）。GentleMill3配有軟件擴展功能，可實現(xiàn)在線技術(shù)支持，通過網(wǎng)絡(luò)進行即時故障偵測及問題排除?！駱悠愤M樣系統(tǒng)：真空裝載鎖定系統(tǒng)，可進行快速樣品更換；全機械、無膠合樣品裝載機構(gòu)；對XTEM樣品特別設(shè)計的鈦框架及封裝技術(shù)●可應(yīng)用于工業(yè)環(huán)境研究●專門設(shè)計，可直接用于Hitachi的FIB-STEM/TEM系統(tǒng)3D樣品托：基于Hitachi的FIB/STEM和Technoorg的GentleMill離子束工作站，Hitachi與Technoorg合作共同提供了一個完整方案用于特定要求低損壞樣品的制備。半自動和全自動的GentleMill型號具有低能量離子減薄及清潔能力，可用于FIB樣品制備的最后步驟來去除無定形物或損壞的表面層。這些型號可允許直接插入Hitachi的3DFIB/STEM樣品桿，因而樣品制備時間可大大地減少?！穹诸悾篏entleMill（型號為IV5），為計算機控制的標(biāo)準(zhǔn)型號；GentleMill3（型號為IV8），為全自動型號；GentleMillHiandGentleMill3Hi為與HitachiFIB/STEM系統(tǒng)兼容的型號。 儀器介紹儀器簡要介紹：Technoorg出品的GentleMill系列產(chǎn)品可用于最終拋光、很容易對先前在標(biāo)準(zhǔn)高能離子減薄儀上或FIB上處理過的樣品進行清潔及改善性能。推薦用戶選擇GentleMill型號來進行樣品制備 無合成產(chǎn)物 幾乎無損壞最佳質(zhì)量的XTEM（截面透射電鏡），HRTEM（高分辨透射電鏡）或STEM（掃描透射電鏡）樣品制備。這些配置的離子減薄儀也可適用于對磨凹（凹坑）處理過的或薄的（ 25 m）、平面的、被機械拋光的樣品進行快速減薄。