技術(shù)參數(shù)主要技術(shù)參數(shù)：離子能量：0.1~10keV離子束減薄樣品角度：0~90度樣品最大減薄速率：350um/h超大TEM樣品薄區(qū)面積： 100um*100um注：上述主要參數(shù)隨儀器的配置變化而有所不同主要特點(diǎn)主要特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)： ●離子源具有多種組合方案：IV3和IV4基本配置采用兩個(gè)獨(dú)立水冷并分別控制的高能離子源（操作范圍：2to10keV）。離子槍槍座的獨(dú)特設(shè)計(jì)使得在真空中機(jī)動(dòng)運(yùn)用離子槍成為可能，并且可從0到90度范圍內(nèi)設(shè)置任意減薄角度，提供了最大限度的靈活性及排除離子束減薄中的低角度陰影的可能性。IV3和IV4中的雙束調(diào)制系統(tǒng)可在樣品兩側(cè)以不同的加速電壓同時(shí)進(jìn)行減薄。在旋轉(zhuǎn)到1/2時(shí)，離子束調(diào)制關(guān)閉束流，或者來(lái)回?cái)[動(dòng)機(jī)構(gòu)來(lái)減少熱敏樣品的溫度。離子束視場(chǎng)調(diào)整是由鈦樣品托的熒光特性來(lái)輔助實(shí)現(xiàn)。在IV3及IV4基本配置中的離子源是水冷的TELETWIN離子槍?zhuān)肁r離子，在2 10keV能量范圍內(nèi)工作。可選用一個(gè)聚焦高能離子槍?zhuān)?to10keV）來(lái)替代，以達(dá)到高減薄速率（ 350 m/h）；或選用一個(gè)低能熱陰極聚焦離子槍?zhuān)?00to2000eV），它能確保清潔的樣品表面沒(méi)有無(wú)定形現(xiàn)象。對(duì)IV3和IV4，都可組合不同的離子源?！癞?dāng)一個(gè)離子源選用高能離子源另一個(gè)離子源選用低能熱陰極聚焦離子槍時(shí)，可實(shí)現(xiàn)在同一設(shè)備中既有高減薄速率又有終拋光性能●獨(dú)特的減速場(chǎng)操作：減速場(chǎng)運(yùn)行方式為IV3及IV4的標(biāo)準(zhǔn)特點(diǎn)，這種擴(kuò)展功能可消除優(yōu)先濺射及低角度轟擊時(shí)的離子陰影。減速場(chǎng)在0到2.5keV范圍時(shí)，入射離子束被彎曲掃過(guò)樣品表面。這種方法也消除了由于切線入射而產(chǎn)生的優(yōu)先刻蝕。●可選反應(yīng)離子減薄、液氮冷臺(tái)及離子束斜坡切割：IV3及IV4中可選幾種其它附件，以便拓展我們的離子減薄儀中制備的材料范圍?；瘜W(xué)輔助反應(yīng)離子轟擊大幅減少了常規(guī)濺射。在化合物半導(dǎo)體如GaAs中，氬離子減薄會(huì)導(dǎo)致形成合成產(chǎn)物。IV3和IV4采用碘作為化學(xué)活性離子，用于無(wú)合成產(chǎn)物的樣品制備。IV3及IV4的標(biāo)準(zhǔn)樣品托可選配液氮冷卻裝置，這樣可減少在低角度離子轟擊期間對(duì)樣品的過(guò)熱現(xiàn)象。因而，對(duì)熱敏材料制備時(shí)，不會(huì)影響其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。帶有可選Hauffe（豪費(fèi)）樣品托的IV3及IV4在SEM應(yīng)用時(shí)，也可進(jìn)行離子束斜坡切割。在離子減薄儀中能切割厚達(dá)5mm的樣品?！駱悠方粨Q：IV4中配有氣鎖樣品交換系統(tǒng)，可保證清潔的減薄環(huán)境，減少樣品污染及支持快速制樣的應(yīng)用●超大薄區(qū)：IV3和IV4的獨(dú)特設(shè)計(jì)可制備超大（ 100 m2）的TEM可穿透薄區(qū)面積儀器介紹產(chǎn)品特點(diǎn)簡(jiǎn)介：歐洲TechnoorgLinda公司出品的IV3及IV4離子減薄儀，為頂級(jí)的TEM（透射電鏡）、XTEM（剖面、橫截面透射顯微鏡）及FIB（聚焦離子束）樣品制備設(shè)備之一，適用于帶有特殊制備要求的材料的高質(zhì)量樣品制備。該離子減薄儀的設(shè)計(jì)允許自由變換離子源參數(shù)，以及提供多種離子源組合。特定配置的減薄儀可在同一個(gè)腔室中進(jìn)行快速離子減薄及最終拋光，無(wú)需移動(dòng)樣品。我們提供的離子減薄儀，可讓用戶開(kāi)展新材料和樣品制備新方法研究及對(duì)樣品制備過(guò)程進(jìn)行完全控制。注：常規(guī)的離子減薄儀離子源能量較大，易破壞樣品的微觀結(jié)構(gòu)，而且很難看到材料真實(shí)的自然狀態(tài)下的納米結(jié)構(gòu)；因此，采用低能離子源，在有效避免樣品的微觀結(jié)構(gòu)被損傷的基礎(chǔ)上，大大提高了電鏡圖片的清晰度，進(jìn)而可以更為清楚的將材料自然狀態(tài)下的微觀結(jié)構(gòu)展現(xiàn)出來(lái)。