HT1104高溫四重組裝超低輸入偏置電流運(yùn)算放大器額定溫度：-55℃至+255℃單流或分流運(yùn)算共模輸入電壓范圍包括電源負(fù)限低輸入偏置與補(bǔ)償參數(shù)輸入/輸出過載保護(hù)高輸入阻抗和超低偏置電流電介質(zhì)分離的無閉鎖設(shè)計(jì)密封14引線陶瓷DIP數(shù)據(jù)表單下載 (PDF)97kHT1204高溫四重組模擬開關(guān)額定溫度：-55℃到+225℃225℃時最大滲漏為500nA低控制輸入電流線性度高開關(guān)之間串?dāng)_低密封14引線陶瓷DIP電介質(zhì)分離的無閉鎖設(shè)計(jì)單個開關(guān)控制CMOS邏輯電平數(shù)據(jù)表單 (PDF)156kHT506/HT507高溫模擬多路復(fù)用器16通道單/8通道雙額定溫度范圍-55℃到+225℃先斷后合開關(guān)無閉鎖I225℃時電阻400I225℃時8通道漏電1.2A分離或單一供電性能數(shù)據(jù)表單 (PDF)112kHTANFET高溫N溝道電源場效應(yīng)晶體管額定溫度：-55℃至+225℃持續(xù)輸出電流可達(dá)1Amp典型輸入電壓可達(dá)90V絕緣層上覆硅(SOI)4引腳電源帶式封裝或帶整體散熱器的8引腳陶瓷Dip數(shù)據(jù)表單169kHTPLREG高溫正線性穩(wěn)壓器額定溫度范圍：-55℃至+225℃輸出電流可達(dá)300mA校準(zhǔn)+15,+10和+5V輸出輸入電壓可達(dá)-28V靜態(tài)電流3.0mA電流極限和短路保護(hù)密封4-引腳封裝數(shù)據(jù)表單94kHTCCG高溫晶體時鐘發(fā)生器額定溫度：-55℃至+225℃與CMOS/TTL相匹配輸出頻率24KHz-20MHz被2,4,8分開單5V供電電源密封14引腳陶瓷DIP與外部晶體接口數(shù)據(jù)表單148kHT6256高溫靜態(tài)存儲器額定溫度：-55℃至+225℃用THMOSTMIV絕緣層上覆硅生產(chǎn)讀取/寫入循環(huán)時間50ns支持20MHz時鐘異步操作輸入/輸出緩沖器單5V10%供電電源密封28引線陶瓷DIP數(shù)據(jù)表單下載 (PDF)246kHT83C51高溫83C51微控制器IHTMOS額定溫度：-55℃至+225℃優(yōu)化8-bitCPU用于5V控制用途四個8-bit雙向平行端口三個帶有一個遞增/遞減定時器/計(jì)數(shù)器和時鐘輸出的16-bit定時器/計(jì)數(shù)器可編程計(jì)數(shù)器陣列帶有七個源極和四個優(yōu)先級的中斷結(jié)構(gòu)半雙方的可編程串行端口帶有~成幀誤差檢測~自動地址識別I64k外部程序存儲器地址空間數(shù)據(jù)表單下載 (PDF)296k