真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射，各有優(yōu)缺點。此外，將蒸發(fā)法與濺射法相結(jié)合，即為離子鍍。這種方法的優(yōu)點是得到的膜與基板間有極強的附著力，有較高的沉積速率，膜的密度高。

本實驗采用的是蒸發(fā)鍍膜法。

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空度不低于10-2Pa的環(huán)境中，用電阻加熱或電子束和激光轟擊等方法把要蒸發(fā)的材料加熱到一定溫度，使材料中分子或原子的熱振動能量超過表面的束縛能，從而使大量分子或原子蒸發(fā)或升華，并直接沉淀在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場的作用下的高速運動轟擊作為陰極的靶，使靶材中的原子或分子逸出來而沉淀到被鍍工件的表面，形成所需要的薄膜。真空蒸發(fā)鍍膜最常用的是電阻加熱法，其優(yōu)點是加熱源的結(jié)構(gòu)簡單，造價低廉，操作方便；缺點是不適用于難熔金屬和耐高溫的介質(zhì)材料。電子束加熱和激光加熱則能克服電阻加熱的缺點。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對被轟擊材料加熱，電子束的動能變成熱能，使材料蒸發(fā)。激光加熱是利用大功率的激光作為加熱源，但由于大功率激光器的造價很高，目前只能在少數(shù)研究性實驗室中使用。

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