容量說明 晶圓（NandFlash，主要有三星、海力士、英特爾、鎂光和東芝）廠商在標注閃存盤容量時，是以十進位為基礎計算的，1GB=1000MB，1MB=1000KB，1KB=1000B；而計算機是以二進制為基礎計算的，1GB=1024MB，1MB=1024KB，1KB=1024B。所以，標明2GB的閃存盤實際存儲容量為2 1000 1000 1000=2000000000B。換算成電腦容量為2000000000B 1024 1024 1024=1.86G。 由于計算方法的差異導致產品標稱的閃存盤容量與計算器內部顯示的閃存盤容量有差別。另外存儲介質特性及文件格式管理的需要，也會占用一定的存儲空間，這也會導致產品實際可使用容量比標稱容量要低。 以下是可實際使用的容量對照表，僅供參考標稱容量可使用容量標稱容量可使用容量2GB1.86GB8GB7.51GB4GB3.72GB16GB15.3GB 1.抗震、防潮、防水、防塵、防磁、防靜電，2．智能糾錯：ECC糾錯技術，智能校正讀寫數據的準確性；3．綠色環(huán)保：符合國際RoHS環(huán)保標準。4．均衡(移動）寫入：均衡(移動）寫入技術為分散控制系統(tǒng)中實時數據讀寫技術，實現芯片寫入數據均衡化，數百倍提高U盤讀寫次數及壽命，良好的支持重要數據存儲和軟件運行等實際應用。5．防電子干擾：全面實現防電子干擾，護航數據讀寫，避免讀寫過程手機輻射等干擾造成的數據丟失或損毀；容量說明 晶圓（NandFlash，主要有三星、海力士、英特爾、鎂光和東芝）廠商在標注閃存盤容量時，是以十進位為基礎計算的，1GB=1000MB，1MB=1000KB，1KB=1000B；而計算機是以二進制為基礎計算的，1GB=1024MB，1MB=1024KB，1KB=1024B。所以，標明2GB的閃存盤實際存儲容量為2 1000 1000 1000=2000000000B。換算成電腦容量為2000000000B 1024 1024 1024=1.86G。 由于計算方法的差異導致產品標稱的閃存盤容量與計算器內部顯示的閃存盤容量有差別。另外存儲介質特性及文件格式管理的需要，也會占用一定的存儲空間，這也會導致產品實際可使用容量比標稱容量要低。 以下是可實際使用的容量對照表，僅供參考標稱容量可使用容量標稱容量可使用容量256MB244M--256M512MB488M--512M1GB960M--999M2GB1860m--1999M4GB3700M--3999M8GB7500M-7999M 1.抗震、防潮、防水、防塵、防磁、防靜電，2．智能糾錯：ECC糾錯技術，智能校正讀寫數據的準確性；3．綠色環(huán)保：符合國際RoHS環(huán)保標準。4．均衡(移動）寫入：均衡(移動）寫入技術為分散控制系統(tǒng)中實時數據讀寫技術，實現芯片寫入數據均衡化，數百倍提高U盤讀寫次數及壽命，良好的支持重要數據存儲和軟件運行等實際應用。5．防電子干擾：全面實現防電子干擾，護航數據讀寫，避免讀寫過程手機輻射等干擾造成的數據丟失或損毀；日常U盤保養(yǎng)維護：1、請將U盤遠離潮濕，多塵環(huán)境；2、切勿猛烈撞擊U盤，防止內置電路元器件脫落；3、U盤用后請采取正確方式與電腦脫離，請勿與電腦長時間接連（3小時以上）。