蝕刻網(wǎng)中濺射蝕刻介紹

蝕刻網(wǎng)中的濺射蝕刻是一個(gè)純粹的物理工藝，是濺射沉積的反向作用。將要保留的區(qū)域保護(hù)起來，待蝕刻的部件被連接到陰極上，再用DC或RF濺射等離子體產(chǎn)生的氬離子轟擊未被保護(hù)的區(qū)域以求達(dá)到蝕刻的目的。然而，濺射蝕刻是無選擇性的。它產(chǎn)生的氬離子同時(shí)蝕刻保護(hù)區(qū)域的膠層和未保護(hù)部分的銅箔，這就要求保護(hù)區(qū)域的膠層必須具備一定的厚度，在未保護(hù)區(qū)域的銅箔的完全蝕刻掉以后必須還有一定的厚度。

濺射蝕刻的方式非常適合高精度制造場合，被廣泛地用于制造器件和集成電路，也越來越多地用于制造混合電路和多芯片模塊。該蝕刻方式的致命弱點(diǎn)就是蝕刻速率特別低，每分鐘只能蝕刻3—6個(gè)埃厚的銅箔。