ZH411 高頻光電導少子壽命測試儀(基本型) :10～6000 s ＞3 cm 1、 用途用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。2、 設備組成2.1、光脈沖發(fā)生裝置重復頻率＞25次/s 脈寬＞60 ｓ 光脈沖關斷時間＜0.2-1 ｓ紅外光源波長：1.06～1.09 m（測量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源2.2、高頻源頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W2.3、放大器和檢波器頻率響應：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：頻帶寬度不低于40MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調(diào)。3、測量范圍LT-1可測硅單晶的電阻率范圍： 3 ㎝（歐姆 厘米）,壽命值的測量范圍：5～6000 ｓ